有機金属気相成長法
有機金属気相成長法 *1 は、原料として有機金属やガスを用いた結晶成長方法、及びその装置である。結晶成長という観点を重視して MOVPE *2 とも言う。
化合物半導体結晶を作製するのに用いられ、MOCVDでは原子層オーダで膜厚を制御することができるため、半導体レーザを初めとするナノテクノロジーといった数nmの設計が必要な分野で用いられる。
有機金属原料は常温では液体・固体であるが，飽和蒸気圧が高い性質を利用して恒温槽で温度を一定に保った原料中にH2やN2をキャリアガスとして用いてバブリングすることで、結晶成長に十分な量の成長用原料をガスを安定した流量で成長基板に供給する事ができる。
混合された原料ガスが加熱された基板に達すると，分解・化学反応をおこし、結晶情報を引き継いで成長（堆積）する。原料ガスの流量比・温度・圧力などを変えることによって様々な組成・物性・構造を持つ半導体を作ることができる。
当時、なかなか成果の上がらなかった σ(-_-) が、ならば …… ！と、ん億円するＶＰＥ装置を改造 …… 破壊！？ …… しようとしたら、担当教授にボコられたのは、今となっては懐かしい秘密である。
確かに当時、実験結果がＶＰＥ装置自体の理論的最高値になかなか …… どころか …… 到底、到達せず、
またまだ、試していない原料ガスの流量比・温度・圧力、そして時間の組み合わせがたくさんあったため
中村博士の受賞の背景には、ン億円する装置を、自分ひとりの好き勝手に改造できたというのがあると考える σ(^_^) である。
