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σ(^_^) が、勝手に、
恩師とする方のおひとりに、
某 博士 がいる。
σ(^_^) が入学したときには、
もう、
「 ノーベル賞、捕られました 」
「 最適条件を見出すための実験回数 が 到底、足りず、追い越せません 」
「 予算 と 人員が足りません 」
と、喚き叫んでいた方である。
実際に、この方の分野では、下記のように、非常に短い期間に２つもNovel Pris が行われている。
| 2000年 | 光エレクトロニクスに利用される半導体ヘテロ構造の開発 |
| 2014年 | 高輝度で省電力の白色光源を実現可能にした青色発光ダイオードの発明 |
があり、
一回に６時間かかる実験では、
一日２４時間に、２回行うのが限界であり。
9:00 - 15:00
15:00- 21:00
σ(^_^) も、何度か、巻き込まれ、
こんな装置はぶっこわして、
結晶成長面に、気化原料を直接ぶち当ててやる！、そうすれば ……
と、何度も叫んだが、
現実逃避的な、装置の破壊、もしくは、
成功するかどうかわからない数億円する装置を壊す度胸はなかった。
中村修二 博士 は、
液相成長装置 も 自作 だったのである！。
だから、躊躇なく（？）
改造できたのである。
σ(^_^) 、この方に、
” 『 格子定数 』 の 呪い ” を掛けられてしまい、
未だに、低温堆積バッファ層技術
というものが、理論的に理解できません。
それとも、まだ理論的には解明されていない、『現象』なのかもしれませんが。
とにかく、何故、『 ” 格子定数 ” の 呪い 』 を 解呪 できたのか、解呪できるのか、わからないのです。
*1:ツーフローMOCVD ： ツーフローMOCVDは、MOCVD装置のリアクタに、縦方向からと横方向からという2つの流れによって成長基板に原料をあてるもの。中村修二が日亜化学時代に発明し、青色発光材料であるGaN（窒化ガリウム）の成長を成功させたもの。従来のMOCVD装置では、水平に置かれた基板に上方から材料ガスを供給していたために、1,000度程度の高温に熱せられた基板表面からの熱対流により材料ガスが舞い上がり、基板まで届きにくく、うまく成長を行うことができなかった。ここで、横方向から窒素の原料となるNH3（アンモニア）を流すことにより、基板にうまくN原子を付着させることができ、良好なGaN結晶の成長を得ることができるようになった。
